| Diameter | 4“ | 5” | 6“ | 8” | |
Device Layer | Dopant | Boron, Phos, Arsenic, Antimony, Undoped | |||
| Orientation | <100>, <111> | ||||
| Type | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
| Resistivity | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| Thickness (um) | 0.2-150 | ||||
| The Uniformity | <5% | ||||
BOX Layer | Thickness (um) | 0.4-3 | |||
| Uniformity | <2.5% | ||||
Substrate | Orientation | <100>, <111> | |||
| Type/Dopant | P Type/Boron , N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb | ||||
| Thickness (um) | 300-725 | ||||
| Resistivity | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| Surface Finished | P/P, P/E | ||||
| Particle | <10@.0.3um | ||||
SOI材料的制备方法有多种，过去经常采用的有离子束、电子束或激光区熔再结晶(ZMR)，外延横向生长法(ELO)等，这些方法各有特色，但对于制造商用SOI晶片来说，其生产能力和成本因素略显不足。目前，注氧隔离法(SIMOX)和硅片键合法是制造低成本商用SOI晶片的两种主要方法，并在国际上形成了两大生产流派。采用这两种方法都已能制造Φ200mm SOI晶片，并且有望满足0.25μm/0.18μm工艺线的质量要求，它们面临的主要挑战是如何进一步提高产量、降低成本，即以IC制造商可接受的价格规模生产出质量符合要求的SOI晶片以满足IC规模生产的要求。